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延伸内容
详情介绍：4.典型的射频氮化镓器件的加工工艺主要包括如下环节：外延生长-器件隔离-欧姆接触（制作源极、漏极）-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。采用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）方式在SiC或Si衬底上外延GaN材料。采用离子注入或者制作台阶（去除掉沟道层）的方式来实现器件隔离。射频器件之间的隔离是制作射频电路的基本要求。形成欧姆接触是指制作源极和漏极的电极。对GaN材料而言，制造欧姆接触需要在很高的温度下完成。在源极和漏极制作完成后，GaN半导体材料需要经过钝化过程来消除悬挂键等界面态。GaN的钝化过程通常采用SiN（氮化硅）来实现。过去几年中，射频氮化镓（GaN）市场成长趋势引人注目，根据市调机构在其挺新研究报告中指出，截至2017年，射频氮化镓市场规模已近3.8亿美元。展望未来，电信和国防将成为该产业的应用主流，由于5G网络的迅速崛起，自2018年起，电信市场将为氮化镓组件带来巨大的发展契机。5G网络将推动氮化镓组件市场的发展。到2023年，射频氮化镓器件的市场规模将大幅扩张3.4倍达13亿美元，2017~2023的年复合平均成长率CAGR为22.9%。射频氮化镓器件技术获得业界认可，已成为主流；市场领先者的相关营收正在迅速提升，而且这一趋势在未来数年中将持续；目前氮化镓组件的价格依然较高，近年会有越来越多公司加入这个市场， 提升供货数量，并促成价格下降。
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